IPB60R280C6ATMA1
IPB60R280C6ATMA1-imag0

IPB60R280C6ATMA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
Price
$1.18
(3000 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 430µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 43nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 950pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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