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IPB60R180C7ATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
- Price
- $2.66
(1000 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolMOS™ C7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 260µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 130mOhm @ 5.3A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 68W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO263-3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 24nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1080pF @ 400V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 13A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |