IPA65R190C7XKSA1
IPA65R190C7XKSA1-imag0

IPA65R190C7XKSA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Price
$2.9
(5 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 290µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-FP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1150pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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