DF11MR12W1M1B11BPSA1
DF11MR12W1M1B11BPSA1-imag0

DF11MR12W1M1B11BPSA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET MOD 1200V 50A
Price
$127.96
(37 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie CoolSiC™+
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Silicon Carbide (SiC)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 20mW
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso Module
Vgs(th) (Max) - Id 5.55V @ 20mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 22.5mOhm @ 50A, 15V
Paquete de dispositivos de proveedores AG-EASY1BM-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 124nC @ 15V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3680pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tj)
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