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BSZ15DC02KDHXTMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
- Price
- $1.02
(650 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 2.5W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.4V @ 110µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 55mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TSDSON-8-FL |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 419pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.1A, 3.2A |