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BSZ086P03NS3EGATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Descripción
- MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
- Price
- $0.87
(14963 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±25V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.1V @ 105µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TSDSON-8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 57.5nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4785pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |