BSZ086P03NS3EGATMA1
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BSZ086P03NS3EGATMA1

Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Price
$0.87
(14963 available)

Bargain Finds

Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.1V @ 105µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.6mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 57.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4785pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
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