IXFX100N65X2
IXFX100N65X2-imag0

IXFX100N65X2

Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Price
$12.39
(152 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 4mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1040W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PLUS247™-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 180nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 11300pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
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