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IXFT60N65X2HV
- Fabricante
- IXYS
- Descripción
- MOSFET N-CH
- Price
- $9.28
(20 available)
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Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | IXYS |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 4mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 52mOhm @ 30A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 780W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-268HV |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 108nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 6300pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 60A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |