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IXFT12N100F
- Fabricante
- IXYS-RF
- Descripción
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
- Price
- $11.42
(41 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | IXYS-RF |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HiPerRF™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5.5V @ 4mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-268 (IXFT) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 77nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1000V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2700pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |