IXDN602SI
IXDN602SI-imag0

IXDN602SI

Fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
Descripción
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Price
$2.04
(59 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS Integrated Circuits Division
Categoría de producto PMIC - Gate Drivers
Serie -
Tipo de puerta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Non-Inverting
Estado de la pieza Active
Tipo de canal Independent
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltaje - Suministro 4.5V ~ 35V
Número de conductores 2
Configuración impulsada Low-Side
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tiempo de subida/caída (típico) 7.5ns, 6.5ns
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC-EP
Voltaje lógico - VIL, VIH 0.8V, 3V
Corriente - Salida máxima (Fuente, Sumidero) 2A, 2A
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