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EPC2016C
- Fabricante
- EPC
- Descripción
- GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
- Price
- $1.01
(317500 available)
Bargain Finds
Descripción del producto
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | +6V, -4V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 3mA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| Disipación de energía (máx.) | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Die |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 4.5nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 420pF @ 50V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 18A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |