ALD111933SAL
ALD111933SAL-imag0

ALD111933SAL

Fabricante
Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Price
$3.6
(474 available)

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Descripción del producto

Atributo Valor de atributo
Fabricante Advanced Linear Devices, Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie EPAD®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Empaquetado Tube
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3.35V @ 1µA
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 500Ohm @ 5.9V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 10.6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2.5pF @ 5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC -
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